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计算机组成原理双端口存储器实验报告葡京赌城网址

计算机组成原理双端口存储器实验报告葡京赌城网址

2018-02-09 10:30 出处:葡京赌城网址 人气:   评论(0

  _计算机硬件及网络_IT/计算机_专业资料。计算机组成原理实验报告 实验名称 双端口存储器实验 姓名 徐振兴 班级 (2) 实验日期 2013.5.24 专业 学号 得分 软件工程 学院 计算机与软件学院 指导老师 任勇

  计算机组成原理实验报告 实验名称 双端口存储器实验 姓名 徐振兴 班级 (2) 实验日期 2013.5.24 专业 学号 得分 软件工程 学院 计算机与软件学院 指导老师 任勇军一、 实验类别 原+分析性 二、 实验目的 ⑵ 了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法; ⑵了解半导体存储器怎样存储和读取数据; ⑶了解双端口存储器怎样并行读写; ⑷熟悉TEC-8模型计算机中存储器部分的数据通。 三、 实验设备 ⑴ TEC-8 实验系统1台 ⑵ 双踪示波器1台 ⑵ 直流万用表 1 块 ⑷逻辑测试笔(在 TEC-8 实验台上) 1 支 四、 实验电 双端口 RAM 电 由 1 片 IDT7132 及少许附加电组成, 存放程序和数据。 IDT7132 有 2 个端口,一个称为左端口,一个称为右端口。2 个端口各有的存储器地址线 个读、写控制信号: CE#、R/W#和 OE#,可以同时对器件内部的同一存储体 同时进行读、写。IDT7132 容量为 2048 字节,TEC-8 实验系统只使用 64 字节。 在 TEC-8 实验系统中,左端口配置成读、写端口,用于程序的初始装入操作,从 存储器中取数到数据总线 DBUS,将数据总线 DBUS 上的数写入存储器。当信号 MEMW 为 1 时,在 T2 为 1 时,将数据总线 DBUS 上的数 D7~D0 写入 AR7~AR0 指定的存储单 元;当 MBUS 信号为 1 时,AR7~AR0 指定的存储单元的数送数据总线 DBUS。右端口设 置成只读方式,从 PC7~PC0 指定的存储单元读出指令 INS7~INS0,送往指令寄存器 IR。 程序计数器 PC 由 2 片 GAL22V10(U53 和 U54)组成。向双端口 RAM 的右端口提 供存储器地址。当复位信号 CLR#为 0 时,程序计数器复位,PC7~PC0 为 00H。当信号 LPC 为 1 时,在 T3 的上升沿, 将数据总线 DBUS 上的数 D7~D0 写入 PC。 当信号 PCINC 为 1 时,在 T3 的上升沿,完成 PC 加 1。当 PCADD 信号为 1 时,PC 和 IR 中的转移 偏量(IR3~IR0)相加,在 T3 的上升沿,将相加得到的和写入 PC 程序计数器。 地址寄存器 AR 由 1 片 GAL22V10(U58)组成,向双端口 RAM 的左端口提供存储 器地址 AR7~AR0。当复位信号 CLR#为 0 时,地址寄存器复位,AR7~AR0 为 00H。当信 号 LAR 为 1 时,在 T3 的上升沿,将数据总线 DBUS 上的数 D7~D0 写入 AR。当信号 ARINC 为 1 时,在 T3 的上升沿,完成 AR 加 1。 指令寄存器 IR 是 1 片 74273(U47) ,用于保存指令。当信号 LIR 为 1 时,在 T3 的 上升沿,将从双端口 RAM 右端口读出的指令 INS7~INS0 写入指令寄存器 IR。 数据开关 SD7~SD0 用于设臵双端口 RAM 的地址和数据。当信号 SBUS 为 1 时,数 SD7~SD0 送往数据总线 DBUS。 本实验中用到的信号归纳如下: MBUS 当它为 1 时,将双端口 RAM 的左端口数据送到数据总线 DBUS。 MEMW 当它为 1 时,在 T2 为 1 期间将数据总线 写入双端 口 RAM 写入的存储器单元由 AR7~AR0 指定。 当它为 1 时, T3 的上升沿将从双端口 RAM 的右端口读出的指令 在 INS7~ INS0 写入指令寄存器 IR。 读出的存储器单元由 PC7~PC0 指定。 LPC 当它为 1 时, T3 的上升沿, 在 将数据总线 写入 程序计 数器 PC。 PCINC 当它为 1 时,在 T3 的上升沿 PC 加 1。 LAR 当它为 1 时, T3 的上升沿, 在 将数据总线 写入 地址寄 存器 AR。 ARINC 当它为 1 时,在 T3 的上升沿,AR 加 1。 SBUS 当它为 1 时,数据开关 SD7~SD0 的数送数据总线 双端口 RAM 左端口存储器地址。 PC7~PC0 双端口 RAM 右端口存储器地址。 INS7~INS0 从双端口 RAM 右端口读出的指令,本实验中作为数据使用。 D7~D0 数据总线 DBUS 上的数。 上述信号都有对应的灯。当灯灯亮时,表示对应的信号为 1;当灯不 亮时,对应的信号为 0。实验过程中,对每一个实验步骤,都要记录上述信号(可以不 纪录 SETCTL)的值。另外μ A5~μ A0 灯当前微地址。 五、实验任务 1.从存储器地址 10H 开始,通过左端口连续向双端口 RAM 中写入 3 个数:85H,60H, 38H。在写的过程中,在右端口检测写的数据是否正确。 2.从存储器地址 10H 开始,连续从双端口 RAM 的左端口和右端口同时读出存储器的内 容。 六、实验步骤 1.实验准备 将控制器转换开关拨到微程序位臵,将编程开关设臵为正常位臵。打开电源。 2.进行存储器读、写实验 ⑴设臵存储器读、写实验模式 按复位按钮 CLR,使 TEC-8 实验系统复位。灯μ A5~μ A0 显示 00H。将操作模式开 关设臵为 SWC=1、SWB=1、SWA=0,计算机组成原理双准备进入双端口存储器实验。 按一次 QD 按钮,进入存储器读、写实验。 ⑵设置存储器地址 灯μ A5~μ A0 显示 0DH。在数据开关 SD7~SD0 上设臵地址 10H。在数据总线 DBUS 灯 D7~D0 上可以看到地址设臵的正确不正确, 发现错误需及时改正。 设臵地址正确后, 按一次 QD 按钮,端口存储器实验报告将 SD7~SD0 上的地址写入地址寄存器 AR(左端口存储器地址)和程序计 数器 PC(右端口存储器地址) ,进入下一步。 ⑶写入第 1 个数 灯μ A5~μ A0 显示 1AH。灯 AR7~AR0(左端口地址)显示 10H,灯 PC7~ PC0(右端口地址)显示 10H。在数据开关 SD7~SD0 上设臵写入存储器的第 1 个数 85H。按 一次 QD 按钮,将数 85H 通过左端口写入由 AR7~AR0 指定的存储器单元 10H。 ⑷写入第 2 个数 灯μ A5~μ A0 显示 1BH。灯 AR7~AR0(左端口地址)显示 11H,灯 PC7~ PC0(右端口地址)显示 10H。观测灯 INS7~INS0 的值,它是通过右端口读出的由右地 址 PC7~PC0 指定的存储器单元 10H 的值。比较和通过左端口写入的数是否相同。在数据开 关 SD7~SD0 上设臵写入存储器的第 2 个数 60H。按一次 QD 按。

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